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可控硅整流電路
發(fā)布者:正涵電氣 發(fā)布時間:2024-03-15 17:36:13 點擊次數(shù): 關閉
一、單相半波可控整流電路

1、工作原理

電路和波形,設u2=U2sinω。


正半周:

0<t<t1,ug=0,T正向阻斷,id=0,uT=u2,ud=0

t=t時,加入ug脈沖,T導通,忽略其正向壓降,uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。

負半周:

π≤t<2π當u2自然過零時,T自行關斷而處于反向阻斷狀態(tài),ut=0,ud=0,id=0。

從0到t1的電度角為α,叫控制角。從t1到π的電度角為θ,叫導通角,顯然α+θ=π。當α=0,θ=180度時,可控硅全導通,與不控整流一樣,當α=180度,θ=0度時,可控硅全關斷,輸出電壓為零。 

2、各電量關系

ud波形為非正弦波,其平均值(直流電壓):



由上式可見,負載電阻Rd上的直流電壓是控制角α的函數(shù),所以改變α的大小就可以控制直流電壓Ud的數(shù)值,這就是可控整流意義之所在。

流過Rd的直流電流Id:



Ud的有效值(均方根值):



流過Rd的電流有效值:



由于電源提供的有功功率P=UI,電源視在功率S=U2I(U2是電源電壓有效值),所以功率因數(shù):



由上式可見,功率因數(shù)cosψ也是α的函數(shù),當α=0時,cosψ=0.707。顯然,對于電阻性負載,單相半波可控整流的功率因數(shù)也不會是1。

比值Ud/U、I/Id和cosψ隨α的變化數(shù)值,見表1,它們相應的關系曲線

表1 Ud/U、I/Id和cosψ的關系
α 30° 60° 90°  120° 150° 180°
Ud/U
I/Id
cosψ
0.45
1.57
0.707
0.42
1.66
0.698
0.338
1.88
0.635
0.225
2.22
0.508
0.113
2.87
0.302
0.03
3.99
0.12
0
-
0


由于可控硅T與Rd是串聯(lián)的,所以,流過Rd的有效值電流I與平均值電流Id的比值,也就是流過可控硅T的有效值電流IT與平均值電流IdT的比值,即I/Id=It/IdT。

二、單相橋式半控整流電路

1、工作原理


正半周:

t1時刻加入ug1,T1導通,電流通路如圖實線所示。uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。u2過零時,T1自行關斷。

負半周:

t2時刻加入ug2,T2導通,電流通路如圖虛線所示,uT2=0,ud=-u2,ut1=u2。u2過零時T2自行關斷。

2、各電量關系

ud波形為非正弦波,其幅值為半波整流的兩倍,所以Rd上的直流電壓Ud:



直流電流Id:



電壓有效值U:



電流有效值I:



功率因數(shù)cosψ:



比值Ud/U,I/Id和cosψ隨α的變化數(shù)值見表2,相應關系曲線

表2 Ud/U、I/Id、cosψ與α的關系表
α 30° 60° 90° 120° 150° 180°
Ud/U
I/Id
cosψ
0.9
1.112
1
0.84
1.179
0.985
0.676
1.335
0.896
0.45
1.575
0.717
0.226
1.97
0.426
0.06
2.835
0.169
0
-
0


把單相全波整流單相半波整流進行比較可知:

(1)當α相同時,全波的輸出直流電壓比半波的大一倍。

(2)在α和Id相同時,全波的電流有效值比半波的減小倍。

(3)α相同時,全波的功率因數(shù)比半波的提高了倍。

三、整流電路波形分析

1、單相半波可控整流

(1)電阻性負載

電阻性負載,id波形與ud波形相似,因為可控硅T與負載電阻Rd串聯(lián),所以id=id。

可控硅T承受的正向電壓隨控制角α而變化,但它承受的反向電壓總是負半波電壓,負半波電壓的最大值為U2。

線路簡單,多用在要求不高的電阻負載的場合。

(2)感性負載(不帶續(xù)流二極管):





電機電器的電磁線圈、帶電感濾波的電阻負載等均屬于電感性負載。

電感具有障礙電流變化的作用可控硅T導通時,其壓降uT=0,但電流id只能從零開始上升。id增加和減少時線圈Ld兩端的感應電動勢eL的極性變化如圖示。 

當電源電壓u2下降及u2≥0時,只要釋放磁場能量可以維持id繼續(xù)流通,可控硅T仍然牌導通狀態(tài),此時ud=u2。當u2<0時,雖然ud出現(xiàn)負值,但電流id的方向不變。

當電流id減小到小于維持電流IH時,可控硅T自行關斷,id=0,UT=u2,可控硅承受反壓。

負載電壓平均值:其中電感Ld兩端電壓的平均值為零。

電感Ld的存在使負載電壓ud出現(xiàn)負值,Ld越大,ud負值越大,負載上直流電壓Ud就越小,Id=Ud/Rd也越小,所以如果不采取措施,可控硅的輸出就達不到應有的電壓和電流。

(3)感性負載(帶續(xù)流二極管):


圖6 電感性負載有續(xù)流二極管 

在負載上并聯(lián)一只續(xù)流二極管D,可使Ud提高到和電阻性負載時一樣,

在電源電壓u2≤0時,D的作用有點:①把電源負電壓u2引到可控硅T兩端,使T關斷,uT=u2;②給電感電流續(xù)流,形成iD;③把負載短路,ud=0,避免ud出現(xiàn)負值,使負載上直流輸出電壓ud提高。

負載電流為何控硅電流iT和二極管的續(xù)流iD之和,即id=iT+iD。當ωLd≥R時,iD下降很慢使id近似為一條水平線,所以流過T和D的電注平均值與有效值分別為:平均值:IdT=(θ/360°)Id;IdD=[(360°-θ)/360°]Id;有效值:IT=根號下(θ/360°)Id;ID=根號下[(360°-θ)/360°]Id

可控硅T開始導通后,如果電感Ld很大,iT的上升很慢,這就有可能導致觸發(fā)脈沖消失時可控硅的電流還上升不到維持導通狀態(tài)的維持電流,就是說,可控硅觸發(fā)不了,為了使可控硅可靠觸發(fā),觸發(fā)脈沖應該足夠寬,或者在負載兩端并聯(lián)一只電阻,以利于加快iT的上升。 
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